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文献
J-GLOBAL ID：201702227230414616
整理番号：17A0470979
とよう素化学気相輸送によるCu_2GeS_3バルク単結晶の成長【Powered by NICT】
Growth of Cu2GeS3 bulk single crystals by chemical vapor transport with iodine
Matsumoto Yusuke
(Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
,
Aihara Naoya
(Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
,
Saito Nobuo
(Department of Materials Science and Technology, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
,
Tanaka Kunihiko
(Department of Electrical, Electronics and Information Engineering, Nagaoka University of Technology, 1603-1, Kamitomioka, Nagaoka, Niigata 940-2188, Japan)
資料名：
Materials Letters
(Materials Letters)
巻： 194 ページ： 16-19 発行年： 2017年
JST資料番号： E0935A ISSN： 0167-577X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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