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文献
J-GLOBAL ID：201702227386149673
整理番号：17A1810825
n形超微結晶ダイヤモンド/水素化非晶質炭素複合膜およびp型シリコン基板を含むヘテロ接合ダイオードの温度依存電流-電圧特性および紫外光検出
Temperature-dependent current-voltage characteristics and ultraviolet light detection of heterojunction diodes comprising n-type ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films and p-type silicon substrates
ZKRIA Abdelrahman
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ZKRIA Abdelrahman
(Aswan Univ., Aswan, EGY)
,
YOSHITAKE Tsuyoshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 7S2 ページ： 07KD04.1-07KD04.4 発行年： 2017年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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