文献
J-GLOBAL ID:201702227550309465
整理番号:17A0834714
GHzバンド幅を持つ半極性(11<span style=text-decoration:overline>2</span>2)InGaN/GaN発光ダイオード
GHz bandwidth semipolar (11<span style=text-decoration:overline>2</span>2) InGaN/GaN light-emitting diodes
著者 (5件):
DINH Duc V.
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
,
QUAN Zhiheng
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
,
ROYCROFT Brendan
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
,
PARBROOK Peter J.
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
,
CORBETT Brian
(Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
資料名:
Optics Letters
(Optics Letters)
巻:
41
号:
24
ページ:
5752-5755
発行年:
2016年12月15日
JST資料番号:
H0690A
ISSN:
0146-9592
CODEN:
OPLEDP
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)