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文献
J-GLOBAL ID：201702227583382770
整理番号：17A1356801
7nm FinFETの設計されたウェアラブルエレクトロニクス用の,統合書込み及び読出しの援助による電荷リサイクル低電力SRAM【Powered by NICT】
Charge recycled low power SRAM with integrated write and read assist, for wearable electronics, designed in 7nm FinFET
Nautiyal Vivek
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Singla Gaurav
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Singh Satinderjit
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Bohra Fakhruddin ali
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Dasani Jitendra
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Gupta Lalit
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
,
Dwivedi Sagar
(ARM Inc. San Jose, CA, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISLPED ページ： 1-6 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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