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文献
J-GLOBAL ID：201702227675422678
整理番号：17A0852248
GaNトレンチ接合障壁Schottkyダイオードの設計と実現【Powered by NICT】
Design and Realization of GaN Trench Junction-Barrier-Schottky-Diodes
Li Wenshen
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
,
Nomoto Kazuki
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
,
Pilla Manyam
(Qorvo Inc., Richardson, TX, USA)
,
Pan Ming
(IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA)
,
Gao Xiang
(IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA)
,
Jena Debdeep
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
,
Xing Huili Grace
(School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 4 ページ： 1635-1641 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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