文献
J-GLOBAL ID:201702227685739273
整理番号:17A0027142
単層と二層遷移金属ジカルコゲニド(TMD)MOSFETを用いた低電圧SRAMのセル安定性および書込み能力に及ぼすランダム変動の影響
Impact of Random Variations on Cell Stability and Write-Ability of Low-Voltage SRAMs Using Monolayer and Bilayer Transition Metal Dichalcogenide (TMD) MOSFETs
著者 (3件):
Yu Chang-Hung
(Department of Electronics EngineeringInstitute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Su Pin
(Department of Electronics EngineeringInstitute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chuang Ching-Te
(Department of Electronics EngineeringInstitute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
37
号:
7
ページ:
928-931
発行年:
2016年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)