文献
J-GLOBAL ID:201702227696051404
整理番号:17A1645843
ゲート設計されたトライゲートSON MOSFETの三次元解析的モデル化【Powered by NICT】
3-D analytical modeling of gate engineered tri-gate SON MOSFET
著者 (3件):
Banerjee Pritha
(Department of Electronics &Telecommication Engineering, Jadavpur University, Kolkata-700032, India)
,
Mahajan Aman
(Department of Electronics &Telecommication Engineering, Jadavpur University, Kolkata-700032, India)
,
Sarkar Subir Kumar
(Department of Electronics &Telecommication Engineering, Jadavpur University, Kolkata-700032, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DevIC
ページ:
437-440
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)