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文献
J-GLOBAL ID：201702227721395486
整理番号：17A1445030
OH官能化シリコンナノ結晶におけるバンドギャップ工学:表面官能基化と量子閉込めの間の相互作用【Powered by NICT】
Bandgap Engineering in OH-Functionalized Silicon Nanocrystals: Interplay between Surface Functionalization and Quantum Confinement
Buerkle Marius
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, 305-8568, Japan)
,
Lozac’h Mickaeel
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, 305-8568, Japan)
,
McDonald Calum
(Nanotechnology and Integrated Bioengineering Centre (NIBEC), University of Ulster, Newtownabbey, BT37 0QB, UK)
,
Mariotti Davide
(Nanotechnology and Integrated Bioengineering Centre (NIBEC), University of Ulster, Newtownabbey, BT37 0QB, UK)
,
Matsubara Koji
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, 305-8568, Japan)
,
Svrcek Vladimir
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Central 2, Umezono 1-1-1, Tsukuba, 305-8568, Japan)
資料名：
Advanced Functional Materials
(Advanced Functional Materials)
巻： 27 号： 37 ページ： ROMBUNNO.201701898 発行年： 2017年
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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