文献
J-GLOBAL ID:201702227725425954
整理番号:17A0557622
弾性歪み下でのSi2N-h2D結晶ナノリボンとナノチューブのバンドギャップ調整の密度汎関数理論研究
Density Functional Theory Study of Bandgap Modulation of Si2N-h2D Crystal Nanoribbons and Nanotubes Under Elastic Strain
著者 (3件):
MA Shengqian
(Taishan Univ., Shandong, CHN)
,
LI Feng
(Taishan Univ., Shandong, CHN)
,
GENG Jiguo
(Taishan Univ., Shandong, CHN)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
4
ページ:
2241-2247
発行年:
2017年04月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)