文献
J-GLOBAL ID:201702227749775022
整理番号:17A0633055
SiO2およびZrO2基板上のMoS2電界効果トランジスタの化学気相成長
Investigation of chemical vapour deposition MoS2 field effect transistors on SiO2 and ZrO2 substrates
著者 (5件):
LIU Xi
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
LIU Xi
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
CHAI Yang
(Hong Kong Polytechnic Univ., HKG)
,
LIU Zhaojun
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
LIU Zhaojun
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
28
号:
16
ページ:
164004,1-7
発行年:
2017年04月21日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)