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文献
J-GLOBAL ID：201702227774577672
整理番号：17A1181660
28nmバルクNMOSFETにおける線形から飽和領域からのドレイン電流の局所変動【Powered by NICT】
Drain current local variability from linear to saturation region in 28nm bulk NMOSFETs
Karatsori T.A.
(IMEP-LAHC, INPG - Minatec, 3 Parvis Louis Neel, CS 50257, 38016 Grenoble, France)
,
Karatsori T.A.
(Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece)
,
Theodorou C.G.
(IMEP-LAHC, INPG - Minatec, 3 Parvis Louis Neel, CS 50257, 38016 Grenoble, France)
,
Haendler S.
(STMicroelectronics, BP16, 38921 Crolles, France)
,
Dimitriadis C.A.
(Department of Physics, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki 54124, Greece)
,
Ghibaudo G.
(IMEP-LAHC, INPG - Minatec, 3 Parvis Louis Neel, CS 50257, 38016 Grenoble, France)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 128 ページ： 31-36 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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