文献
J-GLOBAL ID:201702227788138094
整理番号:17A1640746
優性キャリア変化モデルに基づくゲート誘電体の絶縁破壊機構の再検討【Powered by NICT】
Reconsideration of Dielectric Breakdown Mechanism of Gate Dielectrics on Basis of Dominant Carrier Change Model
著者 (3件):
Okada Kenji
(Process Technology Center, TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd., Uozu, Japan)
,
Kamei Masayuki
(Process Technology Center, TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd., Uozu, Japan)
,
Ohno Shigeyuki
(Process Technology Center, TowerJazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd., Uozu, Japan)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
11
ページ:
4386-4392
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)