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文献
J-GLOBAL ID：201702227823878691
整理番号：17A0551427
Ge4H10とSnD4の反応による超低温でのSi/Ge上のシュードモルフィックGe1-ySny(y=0.06-0.17)構造とデバイスの分子エピタクシー
Molecular epitaxy of pseudomorphic Ge1-y Sny (y = 0.06-0.17) structures and devices on Si/Ge at ultra-low temperatures via reactions of Ge4H10 and SnD4
WALLACE P M
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
SENARATNE C L
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
XU Chi
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
SIMS P E
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
KOUVETAKIS J
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
MENENDEZ J
(Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 32 号： 2 ページ： 025003,1-10 発行年： 2017年02月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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