文献
J-GLOBAL ID:201702227889134281
整理番号:17A0953405
GaAs活性層とともにZnSe基板を用いた新しい光陰極
New photocathode using ZnSe substrates with GaAs active layer
著者 (3件):
JIN Xiuguang
(High Energy Accelerator Res. Organization (KEK), Ibaraki, JPN)
,
TAKEDA Yoshikazu
(Aichi Synchrotron Radiation Center, Aichi, JPN)
,
FUCHI Shingo
(Aoyama Gakuin Univ., Sagamihara, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
3
ページ:
036701.1-036701.4
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)