文献
J-GLOBAL ID:201702227945127851
整理番号:17A0389402
ゲート変調光電流応答による高品質グラフェン/MoS_2垂直電界効果トランジスタへの容易な経路【Powered by NICT】
A facile route to a high-quality graphene/MoS2 vertical field-effect transistor with gate-modulated photocurrent response
著者 (7件):
Farooq Khan M.
(Department of Physics & Astronomy and Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul 05006, Korea. eom@sejong.ac.kr)
,
Arslan Shehzad M.
,
Zahir Iqbal M.
,
Waqas Iqbal M.
,
Nazir Ghazanfar
,
Seo Yongho
,
Eom Jonghwa
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
9
ページ:
2337-2343
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)