文献
J-GLOBAL ID:201702227979755887
整理番号:17A0124327
複合極性および非極性AlGaN/GaNヘテロ構造を持つ溝型チャネルエンハンスメントモードAlGaN/GaN MIS H EMT【Powered by NICT】
Groove-type channel enhancement-mode AlGaN/GaN MIS HEMT with combined polar and nonpolar AlGaN/GaN heterostructures
著者 (6件):
Duan Xiaoling
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Jincheng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Xiao Ming
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhao Yi
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Ning Jing
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
8
ページ:
087304-1-087304-07
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)