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文献
J-GLOBAL ID：201702227980225554
整理番号：17A0214250
10nm FinFET CMOSとそれ以降のための空気スペーサ【Powered by NICT】
Air spacer for 10nm FinFET CMOS and beyond
Cheng K.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Park C.
(GLOBALFOUNDRIES, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Yeung C.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Nguyen S.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Zhang J.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Miao X.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Wang M.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Mehta S.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Li J.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Surisetty C.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Muthinti R.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Liu Z.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Tang H.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Tsai S.
(GLOBALFOUNDRIES, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Yamashita T.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Bu H.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
,
Divakaruni R.
(IBM, 257 Fuller Rd, Albany, NY 12203)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IEDM ページ： 17.1.1-17.1.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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