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文献
J-GLOBAL ID:201702228026416376   整理番号:17A0664025

Au/PPy/n-Si (MPS)型Schottky障壁ダイオードの電気特性に対する光誘起の影響の研究

Investigation of photo-induced effect on electrical properties of Au/PPy/n-Si (MPS) type schottky barrier diodes
著者 (6件):
ERSOEZ Guelcin
(Duezce Univ., Duezce, TUR)
ERSOEZ Guelcin
(Rumeli Univ., Istanbul, TUR)
YUECEDAG Ibrahim
(Duezce Univ., Duezce, TUR)
BAYRAKDAR Suemeyye
(Duezce Univ., Duezce, TUR)
ALTINDAL Semsettin
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
GUEMUES Ahmet
(Nigde Univ., Nigde, TUR)

資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)

巻: 28  号:ページ: 6413-6420  発行年: 2017年05月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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