文献
J-GLOBAL ID:201702228026416376
整理番号:17A0664025
Au/PPy/n-Si (MPS)型Schottky障壁ダイオードの電気特性に対する光誘起の影響の研究
Investigation of photo-induced effect on electrical properties of Au/PPy/n-Si (MPS) type schottky barrier diodes
著者 (6件):
ERSOEZ Guelcin
(Duezce Univ., Duezce, TUR)
,
ERSOEZ Guelcin
(Rumeli Univ., Istanbul, TUR)
,
YUECEDAG Ibrahim
(Duezce Univ., Duezce, TUR)
,
BAYRAKDAR Suemeyye
(Duezce Univ., Duezce, TUR)
,
ALTINDAL Semsettin
(Gazi Univ., Ankara, TUR)
,
GUEMUES Ahmet
(Nigde Univ., Nigde, TUR)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
9
ページ:
6413-6420
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)