前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702228371506116
整理番号：17A0776053
Raman分光法と高分解能XRDによる4H-SiC及びサファイア上に成長させたGaNの特性評価【Powered by NICT】
Characterization of GaN grown on 4H-SiC and sapphire by Raman spectroscopy and high resolution XRD
Duan Huantao
(Xidian University)
,
Gu Wenping
(Xidian University)
,
Zhang Jincheng
(Xidian University)
,
Hao Yue
(Xidian University)
,
Chen Chi
(Xidian University)
,
Ni Jinyu
(Xidian University)
,
Xu Shengrui
(Xidian University)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 30 号： 7 ページ： 22-26 発行年： 2009年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。