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文献
J-GLOBAL ID:201702228389805288   整理番号:17A1244804

半極性(1122)配向GaN中の拡張欠陥の伝搬に及ぼすナノ多孔性SiN_x中間層の効果【Powered by NICT】

Effect of nano-porous SiNx interlayer on propagation of extended defects in semipolar (1122)-orientated GaN
著者 (11件):
Monavarian Morteza
(Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA)
Izyumskaya Natalia
(Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA)
Mueller Marcus
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany)
Metzner Sebastian
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany)
Veit Peter
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany)
Das Saikat
(Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA)
OEzguer UEmit
(Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA)
Bertram Frank
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany)
Christen Juergen
(Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, D-39106 Magdeburg, Germany)
Morkoc Hadis
(Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA)
Avrutin Vitaliy
(Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA 23284, USA)

資料名:
Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)

巻: 14  号:ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1400A  ISSN: 1862-6351  CODEN: PSSCGL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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