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文献
J-GLOBAL ID：201702228471128836
整理番号：17A0411606
SiCドープアンチモンに基づく高熱安定性を有する超高速相変化メモリ【Powered by NICT】
The ultrafast phase-change memory with high-thermal stability based on SiC-doped antimony
Guo Tianqi
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Guo Tianqi
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Song Sannian
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Li Le
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Li Le
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Ji Xinglong
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Ji Xinglong
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Li Chang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Li Chang
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Xu Chang
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Xu Chang
(Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China)
,
Shen Lanlan
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Shen Lanlan
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Xue Yuan
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Xue Yuan
(University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
,
Liu Bo
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Song Zhitang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Qi Ming
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Feng Songlin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)
,
Feng Songlin
(Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China)
資料名：
Scripta Materialia
(Scripta Materialia)
巻： 129 ページ： 56-60 発行年： 2017年
JST資料番号： B0915A ISSN： 1359-6462 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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