文献
J-GLOBAL ID:201702228474077494
整理番号:17A0385673
Fe3Si/Ge/Fe3Si三層に関するGaAs(001)上での固相エピタクシーを用いた成長
Growth of Fe3Si/Ge/Fe3Si trilayers on GaAs(001) using solid-phase epitaxy
著者 (6件):
Gaucher S.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Jenichen B.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Kalt J.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Jahn U.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Trampert A.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
,
Herfort J.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
110
号:
10
ページ:
102103-102103-5
発行年:
2017年03月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)