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文献
J-GLOBAL ID：201702228697108663
整理番号：17A1637479
Si基板上のDモードAlGaN/GaN MIS-HEMTにおけるOleron劣化のバイアス及び温度-依存性trapping/deトラッピング【Powered by NICT】
Bias- and temperature-assisted trapping/de-trapping of ron degradation in D-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs on a Si substrate
Zhang Jin-Ming
(Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Taiwan)
,
Hsieh Ting-En
(Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Taiwan)
,
Wu Tian-Li
(International College of Semiconductor Technology, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Chen Szu-Hao
(Department of Mechanical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Chen Shi-Xuan
(Department of Mechanical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Chou Po-Chien
(Department of Mechanical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Chang Edward Yi
(Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IPFA ページ： 1-4 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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