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文献
J-GLOBAL ID：201702228807941758
整理番号：17A0883588
溶液から作製した変調ドープIn_2O_3/ZnOヘテロ接合トランジスタ【Powered by NICT】
Modulation-Doped In2O3/ZnO Heterojunction Transistors Processed from Solution
Khim Dongyoon
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK)
,
Lin Yen-Hung
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK)
,
Nam Sungho
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK)
,
Faber Hendrik
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK)
,
Tetzner Kornelius
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK)
,
Li Ruipeng
(Cornell High Energy Synchrotron Source, Wilson Laboratory Cornell University, Ithaca, NY, 14853, USA)
,
Zhang Qiang
(Division of Physical Sciences and Engineering, King Abdullah University of Science & Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
,
Li Jun
(Division of Physical Sciences and Engineering, King Abdullah University of Science & Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
,
Zhang Xixiang
(Division of Physical Sciences and Engineering, King Abdullah University of Science & Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
,
Anthopoulos Thomas D.
(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK)
,
Anthopoulos Thomas D.
(Division of Physical Science and Engineering, King Abdullah University of Science & Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 29 号： 19 ページ： ROMBUNNO.201605837 発行年： 2017年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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