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文献
J-GLOBAL ID：201702228809548840
整理番号：17A0974961
遠隔N2プラズマ処理を利用した低損傷単層MoS2の誘電堆積の促進
Enhanced dielectric deposition on single-layer MoS2 with low damage using remote N2 plasma treatment
QIAN Qingkai
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
,
ZHANG Zhaofu
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
,
HUA Mengyuan
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
,
TANG Gaofei
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
,
LEI Jiacheng
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
,
LAN Feifei
(CETC, Tianjin, CHN)
,
XU Yongkuan
(CETC, Tianjin, CHN)
,
YAN Ruyue
(CETC, Tianjin, CHN)
,
CHEN Kevin J
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 28 号： 17 ページ： 175202,1-10 発行年： 2017年04月28日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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