文献
J-GLOBAL ID:201702228810238771
整理番号:17A1774052
極性半導体のpolyaron sybsystemにおける理論非線形緩和【Powered by NICT】
On theory nonlinear relaxation in polyaron sybsystem of polar semiconductors
著者 (1件):
Sokolovsky S. A.
(Department of Physics, Pridniprovska State Academy of Construction and Architecture, Dnipro, Ukraine)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DIPED
ページ:
242-247
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)