文献
J-GLOBAL ID:201702228894354470
整理番号:17A0900413
高温高圧法によって合成したMg2Si1-xSbx(0≦x≦0.025)の熱電特性
Thermoelectric properties of Mg2Si1-xSbx (0≦x≦0.025) synthesized by the high-temperature high-pressure method
著者 (6件):
ZHU Yaju
(Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
,
LI Jialiang
(Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
,
DUAN Bo
(Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
,
LI Yao
(Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
,
ZHAI Pengcheng
(Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
,
LI Peng
(Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
13
ページ:
9535-9541
発行年:
2017年07月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)