文献
J-GLOBAL ID:201702228964154964
整理番号:17A0755627
ヘテロ接合TFETにおけるしきい値電圧の抽出のためのアルゴリズム【Powered by NICT】
An Algorithm for Extraction of Threshold Voltage in Heterojunction TFETs
著者 (2件):
Goswami Rupam
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, India)
,
Bhowmick Brinda
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Silchar, India)
資料名:
IEEE Transactions on Nanotechnology
(IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻:
16
号:
1
ページ:
90-93
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1355A
ISSN:
1536-125X
CODEN:
ITNECU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)