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文献
J-GLOBAL ID：201702228968141694
整理番号：17A1640610
環境的に安定な溶液処理酸化物薄膜トランジスタに向けて:稀な無金属酸化物ベース半導体/絶縁体ヘテロ構造と化学的に安定な多重スタッキング【Powered by NICT】
Towards environmentally stable solution-processed oxide thin-film transistors: a rare-metal-free oxide-based semiconductor/insulator heterostructure and chemically stable multi-stacking
Cho Sung Woon
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, 300 Cheoncheon-dong, Jangan-gu, Suwon, Gyeonggi-do 16419, Republic of Korea. chohk@skku.edu)
,
Kim Da Eun
,
Kim Kyung Su
,
Jung Sung Hyun
,
Cho Hyung Koun
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 40 ページ： 10498-10508 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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