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文献
J-GLOBAL ID：201702229032025704
整理番号：17A1350223
安全でエネルギー効率の良いドーピングフリー相補型回路のための低ソース-ドレイン漏れのある再構成可能なゲルマニウムトランジスタ【Powered by NICT】
Reconfigurable germanium transistors with low source-drain leakage for secure and energy-efficient doping-free complementary circuits
Trommer J.
(Namlab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany)
,
Heinzig A.
(Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany)
,
Slesazeck S.
(Namlab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany)
,
Muhle U.
(Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany)
,
Loffler M.
(Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany)
,
Walter D.
(Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany)
,
Mayr C.
(Center for Advancing Electronics Dresden, TU Dresden, 01187, Dresden, Germany)
,
Mikolajick T.
(Namlab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany)
,
Weber W. M.
(Namlab gGmbH, Noethnitzer Str. 64, 01187 Dresden, Germany)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： DRC ページ： 1-2 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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