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文献
J-GLOBAL ID：201702229035857328
整理番号：17A0885766
単層および数層遷移金属ジカルコゲン化物MOSFETを用いたモノリシック3D論理回路とSRAMセルの性能と安定性ベンチマーキング【Powered by NICT】
Performance and Stability Benchmarking of Monolithic 3-D Logic Circuits and SRAM Cells With Monolayer and Few-Layer Transition Metal Dichalcogenide MOSFETs
Yu Chang-Hung
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Su Pin
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chuang Ching-Te
(Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 5 ページ： 2445-2451 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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