文献
J-GLOBAL ID:201702229178851475
整理番号:17A1767464
Ge MOSFETの反転層における正孔移動度の応力応答モデル
A Stress Response Model for Hole Mobility in the Inversion Layer of Ge MOSFETs
著者 (4件):
CHEN Kuan-Ting
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
LEE Chia-Feng
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
HE Ren-Yu
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
CHANG Shu-Tong
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
11
ページ:
8511-8515
発行年:
2017年11月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)