文献
J-GLOBAL ID:201702229239559425
整理番号:17A0158779
パルス有機金属化学気相成長法によるサファイア基板上のInAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの作製【Powered by NICT】
Fabrication of InAlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Sapphire Substrates by Pulsed Metal Organic Chemical Vapor Deposition
著者 (6件):
Quan Rudai
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Jincheng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Yachao
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Weihang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Ren Zeyang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名:
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻:
33
号:
10
ページ:
108104_01-108104_04
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1191A
ISSN:
0256-307X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)