文献
J-GLOBAL ID:201702229274521569
整理番号:17A0579337
分子線エピタキシーを使用した模様のあるGaAsSbのアキシャルおよびGaAs/GaAsSbのコアシェルナノワイヤの自触媒成長におけるピッチで誘発されたバンドギャップ調節
Pitch-Induced Bandgap Tuning in Self-Catalyzed Growth of Patterned GaAsSb Axial and GaAs/GaAsSb Core-Shell Nanowires Using Molecular Beam Epitaxy
著者 (5件):
SHARMA Manish
(North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA)
,
KARIM Md Rezaul
(North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA)
,
KASANABOINA Pavan
(North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA)
,
LI Jia
(North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA)
,
IYER Shanthi
(North Carolina A&T State Univ., North Carolina, USA)
資料名:
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻:
17
号:
2
ページ:
730-737
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
W1323A
ISSN:
1528-7483
CODEN:
CGDEFU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)