文献
J-GLOBAL ID:201702229425979708
整理番号:17A0329188
ファインピッチRDLパターン形成特性【Powered by NICT】
Fine pitch RDL patterning characterization
著者 (4件):
Bing Chen
(Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634)
,
Boon Soh Siew
(Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634)
,
Wee Ho Soon
(Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634)
,
Yang Jung Boo
(Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02 Innovis Tower, Singapore 138634)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
EPTC
ページ:
675-678
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)