文献
J-GLOBAL ID:201702229434664058
整理番号:17A1489573
ダイヤモンドと比較した半絶縁性炭化けい素半導体中のアルファ放射に誘起された空間電荷安定性の効果【Powered by NICT】
Alpha radiation induced space charge stability effects in semi-insulating silicon carbide semiconductors compared to diamond
著者 (3件):
Hodgson M.
(Department of Physics, University of Surrey, Guildford GU2 7XH, United Kingdom)
,
Lohstroh A.
(Department of Physics, University of Surrey, Guildford GU2 7XH, United Kingdom)
,
Sellin P.
(Department of Physics, University of Surrey, Guildford GU2 7XH, United Kingdom)
資料名:
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻:
78
ページ:
49-57
発行年:
2017年
JST資料番号:
W0498A
ISSN:
0925-9635
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)