文献
J-GLOBAL ID:201702229498536095
整理番号:17A0598917
高性能な電解質ゲートトランジスタのための物理的架橋のホモポリマイオンゲル
Physically Cross-Linked Homopolymer Ion Gels for High Performance Electrolyte-Gated Transistors
著者 (6件):
YANG Hae Min
(Inha Univ., Incheon, KOR)
,
KWON Yeong Kwan
(Inha Univ., Incheon, KOR)
,
LEE Soo Byoung
(Inha Univ., Incheon, KOR)
,
KIM Sangwon
(Inha Univ., Incheon, KOR)
,
HONG Kihyon
(Korea Inst. of Materials Sci., Changwon, KOR)
,
LEE Keun Hyung
(Inha Univ., Incheon, KOR)
資料名:
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻:
9
号:
10
ページ:
8813-8818
発行年:
2017年03月15日
JST資料番号:
W2329A
ISSN:
1944-8244
CODEN:
AAMICK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)