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文献
J-GLOBAL ID：201702229524454248
整理番号：17A1026110
B TIによるVthドリフトの寿命モニタリングのためのSRAMセル書込みマージン計量の評価【Powered by NICT】
Evaluation of SRAM cell write margin metrics for lifetime monitoring of BTI-induced Vth drift
Alorda B.
(Physics dept. Mateu Orfila Building, University of Balearic Islands, Palma, Spain)
,
Torrens G.
(Physics dept. Mateu Orfila Building, University of Balearic Islands, Palma, Spain)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： DTIS ページ： 1-6 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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