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文献
J-GLOBAL ID：201702229575122644
整理番号：17A0375014
SiをドープしたGaNナノワイヤにおけるフォノン-プラズモン結合【Powered by NICT】
Phonon-plasmon coupling in Si doped GaN nanowires
Rozas-Jimenez E.
(Institute of Materials Science (ICMUV), University of Valencia, P.O. Box 22085, ES-46071 Valencia, Spain)
,
Cros A.
(Institute of Materials Science (ICMUV), University of Valencia, P.O. Box 22085, ES-46071 Valencia, Spain)
,
Murcia-Mascaros S.
(Institute of Materials Science (ICMUV), University of Valencia, P.O. Box 22085, ES-46071 Valencia, Spain)
,
Fang Z.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Fang Z.
(CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” group, F-38000 Grenoble, France)
,
Fang Z.
(CNRS, Inst. NEEL, F-38042 Grenoble, France)
,
Daudin B.
(Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France)
,
Daudin B.
(CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” group, F-38000 Grenoble, France)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55 ページ： 63-66 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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