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文献
J-GLOBAL ID：201702229951419933
整理番号：17A0825245
16nmバルクFinFET CMOSプロセスにおけるセンス増幅器ベースフリップフロップの設計のシングルイベント性能【Powered by NICT】
Single-Event Performance of Sense-Amplifier Based Flip-Flop Design in a 16-nm Bulk FinFET CMOS Process
Jiang H.
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Zhang H.
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Assis T. R.
(Robust Chip Inc., Pleasanton, CA, USA)
,
Narasimham B.
(Broadcom Corporation, Irvine, CA, USA)
,
Bhuva B. L.
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Holman W. T.
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Massengill L. W.
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64 号： 1 ページ： 477-482 発行年： 2017年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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