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文献
J-GLOBAL ID：201702230071748876
整理番号：17A0210948
シリコンCMOSとアンモニア-MBE成長させたGaN-HEMTとのモノリシック集積化のための技術的構築ブロックの開発
Development of technological building blocks for the monolithic integration of ammonia-MBE-grown GaN-HEMTs with silicon CMOS
Comyn Remi
(CRHEA-CNRS, rue Bernard Gregory, 06560, Valbonne, France)
,
Comyn Remi
(Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2), CNRS UMI-3463, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, J1K 0A5, Quebec, Canada)
,
Cordier Yvon
(CRHEA-CNRS, rue Bernard Gregory, 06560, Valbonne, France)
,
Chenot Sebastien
(CRHEA-CNRS, rue Bernard Gregory, 06560, Valbonne, France)
,
Jaouad Abdelatif
(Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2), CNRS UMI-3463, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, J1K 0A5, Quebec, Canada)
,
Maher Hassan
(Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2), CNRS UMI-3463, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, J1K 0A5, Quebec, Canada)
,
Aimez Vincent
(Laboratoire Nanotechnologies Nanosystemes (LN2), CNRS UMI-3463, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, J1K 0A5, Quebec, Canada)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 213 号： 4 ページ： 917-924 発行年： 2016年04月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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