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文献
J-GLOBAL ID：201702230168285835
整理番号：17A0055493
片持梁と膜に位置するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの歪誘起応答【Powered by NICT】
Strain induced response of AlGaN/GaN high electron mobility transistor located on cantilever and membrane
Dzuba J.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Vanko G.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Babchenko O.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Lalinsky T.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Horvat F.
(Institute of Applied Mechanics and Mechatronics, Faculty of Mechanical Engineering, Slovak University of Technology in Bratislava, Na ́m. Slobody 17, 812 31 Bratislava, Slovakia)
,
Szarvas M.
(Institute of Applied Mechanics and Mechatronics, Faculty of Mechanical Engineering, Slovak University of Technology in Bratislava, Na ́m. Slobody 17, 812 31 Bratislava, Slovakia)
,
Kovac T.
(Institute of Applied Mechanics and Mechatronics, Faculty of Mechanical Engineering, Slovak University of Technology in Bratislava, Na ́m. Slobody 17, 812 31 Bratislava, Slovakia)
,
Hucko B.
(Institute of Applied Mechanics and Mechatronics, Faculty of Mechanical Engineering, Slovak University of Technology in Bratislava, Na ́m. Slobody 17, 812 31 Bratislava, Slovakia)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ASDAM ページ： 227-230 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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