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文献
J-GLOBAL ID：201702230174975186
整理番号：17A1273463
180nm Si-Ge BT技術における低近接位相雑音C級微分clapp VCOトポロジー【Powered by NICT】
A low close-in phase noise class-C differential clapp VCO topology in 180 nm Si-Ge HBT technology
Macera Giuseppe
(Analog Devices Inc. Raheen, Limerick, Ireland)
,
Marotta Valerio
(Tyndall National Institute, Cork, Ireland)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISSC ページ： 1-5 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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