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文献
J-GLOBAL ID：201702230234623227
整理番号：17A1772442
1.2kV SiCダイオードのサージ電流ロバスト性に及ぼすレイアウトの影響【Powered by NICT】
Impact of layout on the surge current robustness of 1.2 KV SiC diodes
Banu Viorel
(D+T Microe ́lectronica A.I.E., Campus UAB, 080193 Bellaterra-Barcelona, Catalunya, Spain)
,
Berthou Maxime
(Caly Technologies SAS, CS 52132, 58 Boulevard Niels Bohr, F69603 Villeurbanne Ce ́dex, France)
,
Montserrat Josep
(IMB-CNM, CSIC, Campus UAB, 080193 Bellaterra-Barcelona, Catalunya, Spain)
,
Jorda Xavier
(IMB-CNM, CSIC, Campus UAB, 080193 Bellaterra-Barcelona, Catalunya, Spain)
,
Godignon Philippe
(IMB-CNM, CSIC, Campus UAB, 080193 Bellaterra-Barcelona, Catalunya, Spain)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： CAS ページ： 147-150 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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