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文献
J-GLOBAL ID：201702230257705891
整理番号：17A0040748
モンテカルロシミュレーションを用いた電子-フォノン散乱の考慮による電力Si MOSFETの熱特性
Thermal Properties of Power Si MOSFET by Considering Electron - Phonon Scattering Using Monte Carlo Simulation
Kibushi Risako
(Dept. of Mechanical Systems Engineering, Toyama Prefectural University)
,
Hatakeyama Tomoyuki
(Dept. of Mechanical Systems Engineering, Toyama Prefectural University)
,
Nakagawa Shinji
(Dept. of Mechanical Systems Engineering, Toyama Prefectural University)
,
Ishizuka Masaru
(Dept. of Mechanical Systems Engineering, Toyama Prefectural University)
資料名：
Transactions of the Japan Institute of Electronics Packaging (Web)
(Transactions of the Japan Institute of Electronics Packaging (Web))
巻： 8 号： 1 ページ： 55-61(J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： U0592A ISSN： 1884-8028 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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