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文献
J-GLOBAL ID：201702230273379955
整理番号：17A0055476
ダイヤモンド蒸着過程中のAlGaN/GaNヘテロ構造上のSchottky接触メタライゼーション安定性【Powered by NICT】
Schottky contact metallization stability on AlGaN/GaN heterostructure during the diamond deposition process
Babchenko O.
(Institute of Electrical Engineering SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Vanko G.
(Institute of Electrical Engineering SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Dzuba J.
(Institute of Electrical Engineering SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Izak T.
(Institute of Physics of the AS CR, Cukrovarni ́cka 10/112, 162 00 Prague, Czech Republic)
,
Vojs M.
(Institute of Electronics and Photonics STU, Ilkovic∨ova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia)
,
Lalinsky T.
(Institute of Electrical Engineering SAS, Du ́bravska ́ cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Kromka A.
(Institute of Physics of the AS CR, Cukrovarni ́cka 10/112, 162 00 Prague, Czech Republic)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ASDAM ページ： 157-160 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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