文献
J-GLOBAL ID:201702230366900222
整理番号:17A0705094
Ta_3N_5半導体の光電気化学的性質に及ぼすMg-Zrの同時ドーピングの影響:理論的洞察【Powered by NICT】
Effects of Mg-Zr codoping on the photoelectrochemical properties of a Ta3N5 semiconductor: a theoretical insight
著者 (6件):
Wang Jiajia
(College of Mechanics and Materials, Hohai University, Nanjing 210098, P. R. China. aibin-ma@hhu.edu.cn)
,
Ma Aibin
,
Li Zhaosheng
,
Jiang Jinghua
,
Chen Jianqing
,
Zou Zhigang
資料名:
Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability
(Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻:
5
号:
15
ページ:
6966-6973
発行年:
2017年
JST資料番号:
W0204B
ISSN:
2050-7488
CODEN:
JMCAET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)