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文献
J-GLOBAL ID：201702230466904833
整理番号：17A0741404
ワイドトレンチエッチングを用いた4H-SiC接合障壁Schottkyダイオードの電流密度の改善
Improving Current Density of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diode with Wide Trench Etching
KYOUNG Sinsu
(Korea Univ., KOR)
,
KYOUNG Sinsu
(Powercubesemi, Inc. Res. and Dev., KOR)
,
JUNG Eun Sik
(Korea Univ., KOR)
,
KANG Tai Young
(Powercubesemi, Inc. Res. and Dev., KOR)
,
SUNG Man Young
(Korea Univ., KOR)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16 号： 11 ページ： 11686-11691 発行年： 2016年11月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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