文献
J-GLOBAL ID:201702230533395846
整理番号:17A0594237
フォトキャパシタンスと時間分解フォトルミネッセンス測定で調べたCu(In,Ga)Se2薄膜の深い準位欠陥に及ぼすSeビーム圧力の影響
Influence of Se beam pressure on deep-level defects in Cu(In,Ga)Se2 thin films studied by photocapacitance and time-resolved photoluminescence measurements
著者 (5件):
HU Xiaobo
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
,
XUE Juanjuan
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
,
TIAN Jiao
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
,
WENG Guoen
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
,
CHEN Shaoqiang
(East China Normal Univ., Shanghai, CHN)
資料名:
Applied Optics
(Applied Optics)
巻:
56
号:
5
ページ:
1291-1295
発行年:
2017年02月10日
JST資料番号:
B0026B
ISSN:
1559-128X
CODEN:
APOPAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)