文献
J-GLOBAL ID:201702230541676698
整理番号:17A0738491
透明なAZO/ZnO/ITO抵抗ランダムアクセスメモリ素子の作製とそれらのZnO活性層蒸着の温度依存性スイッチング特性
Fabrication of Transparent AZO/ZnO/ITO Resistive Random Access Memory Devices and Their ZnO Active Layer Deposition Temperature-Dependent Switching Characteristics
著者 (3件):
KIM Kyu Young
(Sejong Univ., Seoul, KOR)
,
SHIM Ee Le
(Halla Univ., Gangwon-do, KOR)
,
CHOI Young Jin
(Sejong Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
16
号:
10
ページ:
10303-10307
発行年:
2016年10月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)